Weltweit erste 64-Layer-V-NAND-Flash-Memory-Produkte der vierten Generation werden im vierten Quartal 2016 produziert
Starkes Angebot an Enterprise-SSDs enthält weltgrößte SAS SSD mit 32TB, ultraleichte 1TB BGA SSD sowie Z-SSD mit höchster Leistun
Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, stellte heute eine Blaupause für Flash-Memory-Lösungen der nächsten Generation vor, die die ständig steigenden Anforderungen aus den Bereichen Big-Data-Netzwerke, Cloud Computing und Echtzeitanalyse erfüllen.
Auf dem Flash Memory Summit 2016*, der vom 16. bis 18. August im Santa Clara (CA) Convention Center stattfindet, zeigt Samsung die vierte Generation seines Vertical NAND (V-NAND) und eine Reihen von hochleistungsfähigen SSDs (Solid State Drives) mit hoher Kapazität, die speziell für Enterprise-Kunden gedacht sind. Außerdem wird der Hersteller unter der Bezeichnung Z-SSD eine neue Lösung mit bahnbrechender Leistungsfähigkeit für Flash-basierte Storage-Systeme zeigen.
Es wird erwartet, dass Samsungs neue Flash-Storage Produkte einen wesentlichen Beitrag zur globalen IT-Industrie leisten, indem sie die wachsenden Speicheranforderungen der heutigen Enterprise-Computing-Umgebung erfüllen. Diese Lösungen ermöglichen das Speichern von enormen Datenmengen sowie eine extrem schnelle Informationsverarbeitung, während sie sich positiv auf die TCO (Total Cost of Ownership) für Data Center auswirken.
„Mit unserer V-NAND-Technologie der vierten Generation können wir führende differenzierte Werte in Sachen Speicherkapazität, Leistungsfähigkeit und Produktabmessungen bieten, die insgesamt dazu beitragen, dass unsere Kunden bessere TCO-Ergebnisse erzielen,“ sagt Young-Hyun Jun, President des Memory Business bei Samsung Electronics. „Wir werden auch in Zukunft weiterentwickelte V-NAND-Lösungen vorstellen und unsere Flash-Business-Programme erweitern, indem wir eine unschlagbare Kombination aus Leistungsfähigkeit und Wertschöpfung maximieren.“
Samsungs vierte V-NAND-Generation stapelt 30 Prozent mehr Layer mit Cell Arrays als ihr Vorgänger
Samsung stellte sein 64-Layer Triple-Level-Cell V-NAND-Flash-Memory der vierten Generation vor, das neue Maßstäbe hinsichtlich NAND-Skalierung, Leistungsfähigkeit und Speicherkapazität setzt. Mit 64 Lagen von übereinander gestapelten Cell Arrays kann das neue V-NAND seine Single-Die-Dichte auf branchenweit führende 512Gb und seine I/O-Geschwindigkeit auf 800Mbit/s steigern. Dies unterscheidet Samsungs Technologie-Führungsrolle beim Design und der Produktion von Speichern mit dreidimensionalen NAND Cell-Strukturen.
Seit August 2013 hat Samsung drei Generationen von branchenweit ersten V-NAND-Produkten mit 24, 32 und 48 Lagen Vertical Cell-Array Stacking-Technologien eingeführt. Samsung plant, die weltweit ersten V-NAND Flash-Memory-Produkte der vierten Generation im vierten Quartal des Jahres auszuliefern. Dies hilft Geräteherstellern, schnellere und schickere portable Computing-Geräte zu produzieren, während sie Konsumenten zugleich eine reaktionsschnellere Computing-Umgebung anbieten können.
Laufwerk mit weltgrößter Kapazität – 32TB SAS SSD – für Enterprise-Storage-Systeme
Samsungs neustes Serial Attached SCSI (SAS) SSD ist das weltweit größte Single-Laufwerk, das jemals in der Branche vorgestellt wurde und auf 512-gigabit (Gb) V-NAND-Chips basiert. Insgesamt sind 512 V-NAND-Chips in 16 Lagen übereinander gestapelt, um ein 1-terabyte (TB) Package zu bilden; das 32-terabyte (TB) SSD enthält 32 dieser Packages.
Durch den Einsatz des neuen V-NAND Designs der vierten Generation kann das 32TB SAS SSD den System-Platzbedarf um bis zum 40-Fachen gegenüber einem System gleichen Typs mit zwei Racks mit HDDs (Hard Disk Drives) reduzieren. Das 32TB SAS SSD wird im 2,5-Zoll-Formfaktor angeboten und soll 2017 in Produktion gehen. Samsung erwartet, dass SSDs mit über 100TB Speicherkapazität im Jahr 2020 zur Verfügung stehen, was der kontinuierlichen Weiterentwicklung der V-NAND-Technologie zu verdanken ist.
1TB im BGA-Gehäuse
Das Samsung 1TB BGA SSD zeichnet sich durch ein extrem kompaktes BGA-Gehäusedesign (Ball Grid Array) aus, das alle erforderlichen SSD-Komponenten einschließlich Triple-Level-Cell V-NAND Flash-Chips, LPDDR4 Mobile DRAM und einen Controller von Samsung enthält. Das SSD-Laufwerk bietet eine noch nie da gewesene Leistungsfähigkeit und liest mit 1.500MB/s bzw. schreibt mit 900MB/s. Weil seine Abmessungen gegenüber seinem Vorgänger um bis zu 50 Prozent verringert werden konnten, wiegt das SSD nur etwa ein Gramm und eignet sich somit ideal für ultrakompakte Notebooks, Tablets und Convertibles der nächsten Generation.
Für nächstes Jahr plant Samsung die Vorstellung eines 1TB BGA SSD mit einer High-Density Packaging-Technologie namens „FO-PLP“ (Fan-out Panel Level Packaging), die Samsung Electronics zusammen mit Samsung Electro-Mechanics entwickelt hat.
Neue „Z-SSD“ durchbricht Leistungsgrenzen von aktuellem NAND-Flash-Memory-Storage
Samsung hat auch eine hochleistungsfähige SSD-Lösung mit ultrageringer Latenz entwickelt – die Z-SSD. Die Z-SSD weist die grundlegende Struktur von V-NAND auf und verfügt über ein einzigartiges Schaltungsdesign bzw. einen Controller zur Maximierung der Leistungsfähigkeit. Erreicht wird eine vier Mal schnellere Latenz und 1,6 Mal schnelleres sequenzielles Lesen gegenüber der Samsung PM963 NVMe** SSD.
Die Z-SSD ist für Systeme gedacht, die extrem intensive Echtzeitanalysen durchführen und allen Arten von Arbeitslasten eine hohe Leistungsfähigkeit zur Verfügung stellen müssen. Vorstellen möchte Samsung die Z-SSD im kommenden Jahr.
* Der Flash Memory Summit (FMS), organisiert von Conference ConCepts, präsentiert die Mainstream-Applikationen, Schlüsseltechnologien und führende Hersteller, die die milliardenschweren Märkte für nicht-flüchtige Speicher und SSDs treiben. FMS ist heute die weltgrößte Veranstaltung, auf der Trends, Innovationen und Meinungsmacher vorgestellt werden, die den Einsatz von Flash Memory in anspruchsvollen Enterprise-Storage-Applikationen sowie in Smartphones, Tablet sowie in mobilen und Embedded-Systemen vorantreiben. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.flashmemorysummit.com/.
** Hinweis für Redakteure: Oft abgekürzt mit NVMe ist NVM Express (Non-Volatile Memory Express) eine optimierte, hochleistungsfähige, skalierbare Host-Controller-Schnittstelle mit optimierter Register-Schnittstelle und Befehlssatz, entwickelt für Enterprise-, Datacenter- und Client-Systeme, die PCIe SSDs nutzen. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.nvmexpress.org
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